ASML称中邦早已研发邦产光刻机：中科院凯旋研发DUV光源技能 能出产3nm

　　正在这位CEO看来，即使中邦正在赶超ASML的时间方面另有很长的途要走，但美邦出台的打压步调只会拔苗助长，让中邦“更致力赢得凯旋”。他还称，与其打压中邦等竞赛敌手，不如将留意力放正在革新上。

　　“中邦一经早先研发少许邦产光刻兴办，即使中邦正在赶超ASML的时间方面另有很长的途要走，但你试图遏制的人会愈加致力地赢得凯旋。”

　　正在这之前，中邦科学院凯旋研发除了打破性的固态DUV(深紫外)激光，可发射193nm的合系光，与目前主流的DUV曝光波长相同，能将半导体工艺促进至3nm。

　　中邦科学院的这种时间最终获取的激光均匀功率为70mW，频率为6kHz，线MHz，半峰全宽(FWHM)小于0.11pm(皮米，千分之一纳米)，光谱纯度与现有商用准分子激光体系相当。

　　这种计划可能大幅低落光刻体系的繁杂度、体积，删除关于有数气体的依赖，并大大低落能耗。

　　合系时间一经正在邦际光电工程学会(SPIE)的官网上宣布。这种全固态DUV光源时间固然正在光谱纯度上一经和商用圭臬相差无几，然而输出功率、频率都还低得众。

　　比拟ASML的时间，频率赢抵达了约2/3，但输出功率惟有0.7％的程度，所以依然须要赓续迭代、晋升材干落地。